金刚石线切割硅晶片的清洗方法

摘要

本发明公开了金刚石线切割硅晶片的清洗方法，先将硅晶片放入超声波清洗机中脱胶，再将硅晶片放入30-50℃的纯水中使用超声波进行清洗，然后将硅晶片放入加有乳酸且温度为60-80℃的的纯水槽中清洗并去除硅晶片表面残胶，而后将硅晶片放入插片机进行插片，再将硅晶片放入纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为40-60℃的硅片清洗剂、氢氧化钠和水的混合液中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为20-30℃的纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为100-140℃的甩干机中甩干。本发明能有效去除硅晶片表面脏污，达到太阳能电池用硅晶片表面要求；对金刚石线切割硅晶片进行类制绒，可提高后续电池片制绒效果，清洗废水经简单处理后可达标排放。

主权项

金刚石线切割硅晶片的清洗方法，其特征在于：先将硅晶片放入超声波清洗机中脱胶，再将硅晶片放入30 50℃的纯水中使用超声波进行清洗，然后将硅晶片放入加有乳酸且温度为60 80℃的的纯水槽中清洗并去除硅晶片表面残胶，而后将硅晶片放入插片机进行插片，再将硅晶片放入纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为40 60℃的硅片清洗剂、氢氧化钠和水的混合液中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为20 30℃的纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为100 140℃的甩干机中甩干。