单片集成太阳能模块和制造方法

摘要

本发明名称为单片集成太阳能模块和制造方法。提供单片集成光伏(PV)模块(200)并且其包括第一导电层(12)和绝缘层(24)。该第一导电层设置在该绝缘层下面。该PV模块进一步包括背接触金属层(28)、p型半导体层(14)、具有至少大约5μm的中等晶粒大小并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)和n型半导体层(18)。该大致上本征半导体层设置在该p型和该n型半导体层之间从而形成有源半导体堆叠(30)。该背接触金属层设置在该绝缘层和该有源半导体堆叠之间。该PV模块进一步包括设置在该有源半导体堆叠(30)上的第二导电层(22)、至少一个延伸通过该背接触金属层(28)的第一沟槽(11)、至少一个延伸通过该有源半导体堆叠的第二沟槽(13)和至少一个延伸通过该第二导电层(22)的第三沟槽(15)。

主权项

一种单片集成光伏(PV)模块(200)，其包括：第一导电层(12)；绝缘层(24)，其中所述第一导电层设置在所述绝缘层下面；背接触金属层(28)；p型半导体层(14)；具有至少大约五(5)μm的中等晶粒大小并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)；n型半导体层(18)，其中所述大致上本征半导体层(16)设置在所述p型半导体层(14)和所述n型半导体层(18)之间从而形成有源半导体堆叠(30)，其中所述背接触金属层设置在所述绝缘层和所述有源半导体堆叠(30)之间；第二导电层(22)，其中所述第二导电层(22)设置在所述有源半导体堆叠(30)上面；延伸通过所述背接触金属层(28)的至少一个第一沟槽(11)，其中所述至少一个第一沟槽(11)中的每个将相应PV电池(210)的背接触金属层(28)与相应相邻PV电池(210)的背接触金属层(28)分开；延伸通过所述p型半导体、大致上本征半导体和n型半导体层(14、16、18)的至少一个第二沟槽(13)，其中所述至少一个第二沟槽(13)中的每个将相应PV电池(210)的p型半导体、大致上本征半导体和n型半导体层(14、16、18)与相应相邻PV电池(210)的p型半导体、大致上本征半导体和n型半导体层(14、16、18)分开；延伸通过所述第二导电层(22)的至少一个第三沟槽(15)，其中所述至少一个第三沟槽(15)中的每个将相应PV电池(210)的第二导电层(22)与相应相邻PV电池(210)的第二导电层(22)分开。