发明名称 HCD气体的除害装置
摘要 本发明提供HCD气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气(L)在不含有水分的情况下导入反应处理区域(K),向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域(K)供给含有若干水分的有氧气体(G),将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水,在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。
申请公布号 CN101384336B 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN200780006055.1 申请日期 2007.02.06
申请人 康肯科技股份有限公司;东亚合成株式会社 发明人 今村启志;竹内裕昭;石川幸二;铃木浩;守谷聪;原田胜可
分类号 B01D53/68(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;B01D53/77(2006.01)I;F23G7/06(2006.01)I 主分类号 B01D53/68(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王健
主权项 除害装置,该除害装置具备:与将含有六氯化二硅的废气排出的半导体制造装置连接,具有加热分解在不含有水分的情况下导入的上述废气的高温的反应处理区域的反应塔;向上述反应塔的反应处理区域供给水分和含氧气体的湿润有氧气体供给部;对由上述反应塔出来的处理气体进行水洗的洗涤塔;和回收洗涤水的洗涤水槽,上述反应塔具有外筒和配设在上述外筒的内部的内筒,在上述外筒的内面与上述内筒的外面之间设置有空间,上述水分和含氧气体,通过上述内筒的内部和上述空间的一方供给上述反应处理区域,从上述反应处理区域出来的上述处理气体,通过上述内筒的内部和上述空间的另一方从上述反应塔排出。
地址 日本京都
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