发明名称 晶片的制作方法
摘要 一种晶片的制作方法,包括对所述晶片的正面进行贴膜后进行研磨,然后揭除覆盖于晶片正面的贴膜,最后对背面进行蚀刻,以形成凹凸不平的背面,最后对所述背面蒸镀一层金属界面。本发明通过在对晶片的背面进行湿法蚀刻之前,将正面所覆盖的贴膜进行揭除,避免了正面贴膜的翘曲处对蚀刻溶液形成的钻蚀现象,解决了晶片背面处理后晶片正面表面颜色不一致的问题。
申请公布号 CN102299052A 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN201010213822.X 申请日期 2010.06.22
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 陈斌;刘江;刘海波;樊杨;国天增
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种晶片的制作方法,包括:提供形成有半导体器件的晶片,所述形成半导体器件的面为晶片正面,与正面相对的面为背面,其中正面具有贴膜;在晶片背面形成金属层;其特征在于,在晶片背面形成金属层之前还包括:揭除覆盖于晶片正面的贴膜;在揭除贴膜的晶片背面进行蚀刻。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号