抗辐射故障保护型存储装置及其抗辐射故障保护方法

摘要

抗辐射故障保护型存储装置及其抗辐射故障保护方法，它涉及一种抗故障保护型存储装置及其保护方法；它为解决现有存储阵列中出现的多位翻转又可以抑制编码器、译码器等组合电路中出现的单粒子瞬态效应，及现有EG-LDPC码因需要较多的冗余位存放编码信息而带来庞大的面积开销，增加芯片成本的问题而提出。方法：1、选择EG-LDPC码和汉明码；2、将EG-LDPC码分割成M个部分：3、把汉明码均匀地插入M个部分的间隔中；4、通过约束算法来确保混合码的故障保护特性；它具有低面积和延迟开销的特性，适用于同时抑制存储阵列中的多位翻转与编码器、译码器等组合电路中的单粒子瞬态效应。

主权项

抗辐射故障保护型存储装置，其特征在于它包括混合码编码组件(2)和混合码译码组件(3)；所述混合码编码组件(2)由EG‑LDPC码编码模块(2‑1)和汉明码编码模块(2‑2)组成；EG‑LDPC码编码模块(2‑1)的信息编码数据输入端和汉明码编码模块(2‑2)的信息编码数据输入端同时与外部信息数据输出端相连；EG‑LDPC码编码模块(2‑1)的EG‑LDPC码编码数据输出端与存储阵列模块(1)的EG‑LDPC码编码数据输入端相连；汉明码编码模块(2‑2)的汉明码编码数据输出端与存储阵列模块(1)的汉明码编码数据输入端相连；所述混合码译码组件(3)由EG‑LDPC码译码模块(3‑1)和汉明码译码模块(3‑2)组成；EG‑LDPC码译码模块(3‑1)的EG‑LDPC码译码数据输入端与存储阵列模块(1)的EG‑LDPC码译码数据输出端相连；汉明码译码模块(3‑2)的汉明码译码数据输入端与存储阵列模块(1)的汉明码译码数据输出端相连；所述存储装置还包括编码错误码探测组件(4)和译码错误码探测组件(5)；所述编码错误码探测组件(4)由EG‑LDPC码编码错误码探测模块(4‑1)和汉明码编码错误码探测模块(4‑2)组成；所述EG‑LDPC码编码错误码探测模块(4‑1)的EG‑LDPC码编码错误码探测数据输入端与EG‑LDPC码编码模块(2‑1)的EG‑LDPC码编码数据输出端相连；所述汉明码编码错误码探测模块(4‑2)的汉明码编码错误码探测数据输入端与汉明码编码模块(2‑2)的汉明码编码数据输出端相连；所述译码错误码探测组件(5)由EG‑LDPC码译码错误码探测模块(5‑1)和汉明码译码错误码探测模块(5‑2)组成；所述EG‑LDPC码译码错误码探测模块(5‑1)的EG‑LDPC码译码错误码探测数据输入端与EG‑LDPC码译码模块(3‑1)的EG‑LDPC码译码数据输出端相连；所述汉明码译码错误码探测模块(5‑2)的汉明码译码错误码探测数据输入端与汉明码译码模块(3‑2)的汉明码译码数据输出端相连；所述EG‑LDPC码译码错误码探测模块(5‑1)的EG‑LDPC码译码伴随数据输入端同时与EG‑LDPC码译码模块(3‑1)的EG‑LDPC码译码伴随数据输出端、汉明码译码模块(3‑2)的汉明码译码伴随数据输出端和汉明码译码错误码探测模块(5‑2)的汉明码译码伴随数据输入端与相连。