发明名称 |
图像感测装置和照相机 |
摘要 |
一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路,其中,各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管,放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极,并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离,并且,包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离,并且,与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。 |
申请公布号 |
CN102301477A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN201080006236.6 |
申请日期 |
2010.01.20 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
渡边高典;下津佐峰生;市川武史;池田一;关根康弘;大谷章;小岛毅 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
卜荣丽 |
主权项 |
一种图像感测装置,包括:像素阵列,在该像素阵列中布置像素以形成多个行和多个列;和外围电路,该外围电路包含选择像素阵列中的行的行选择电路、选择像素阵列中的列的列选择电路和读出像素阵列中的由列选择电路选择的列的信号的读出电路,其中,各像素包含光电二极管、浮动扩散、将存储于光电二极管的存储区域中的空穴传送到浮动扩散的传送PMOS晶体管、放大在浮动扩散中出现的信号的放大器PMOS晶体管和将浮动扩散的电势复位的复位PMOS晶体管,放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极,并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离,并且,包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离,并且,与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。 |
地址 |
日本东京 |