发明名称 发光二极管及其制造方法
摘要 本发明公开了一种发光二极管与其制造方法,其中所述发光二极管包含一个芯片,能够发出光线,其具有一个第一半导体材料层及一个第二半导体材料层,且一侧为出光侧,另一侧为底侧;一个框架形成在芯片的出光侧,且其内部与芯片的表面形成容置空间;荧光粉材料是用以填置于框架内部的容置空间内,且受芯片所发出的光线激发而发出色光,进而与芯片所发出的光线产生混合。如此可获致精简的结构,且达到混合光色更均匀,及可藉此减少产生光斑或色圈。
申请公布号 CN102299234A 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN201110157372.1 申请日期 2011.06.13
申请人 协鑫光电科技(张家港)有限公司 发明人 陈达军
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;姜精斌
主权项 一种发光二极管,其特征在于,包括:一个能够发出光线的芯片,其具有一个第一半导体材料层及一个第二半导体材料层,且一侧为出光侧,另一侧为底侧;一个框架,形成在所述芯片的出光侧,且其内部与所述芯片的表面形成容置空间;用以填置于所述框架内部的所述容置空间内的荧光粉材料,受所述芯片所发出的光线激发而发出色光,进而与所述芯片所发出的光线产生混合。
地址 215600 江苏省苏州市张家港经济开发区