| 发明名称 | 铜膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101684547B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200910205875.4 | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小岛康彦;吉井直树 |
| 分类号 | C23C16/06(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种成膜方法，交替进行向基板上供给含有Cu的原料物质的工序；和停止供给所述含有Cu的原料物质后，向所述基板供给还原性气体的工序，其中，具有：将成膜初期供给还原性气体的时间作为第一时间T1，交替进行所述两个工序的第一成膜期；和将所述还原性气体供给时间作为比所述T1短的第二时间T2，在所述第一成膜期之后、交替进行所述两个工序的第二成膜期。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||