一种圆滑曲面微结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种圆滑曲面微结构的制作方法，其特征在于所述的方法以负性化学放大光刻胶(chemically amplified photoresist)为圆滑曲面微结构的制作材料，首先在基片上旋涂第一层负性化学放大光刻胶，并软烘、曝光，然后直接在第一层负性化学放大光刻胶上旋涂第二层负性化学放大光刻胶，并进行后烘；利用后烘过程中第一层光刻胶曝光后产生的光酸各向同性扩散，催化曝光区域及其相邻扩散区域光刻胶分子交联，显影后制得具有圆滑曲面特征的微结构。本发明提出的圆滑曲面微结构的制作方法相对于传统的灰阶掩膜技术和光刻胶回流方法，具有加工简便、成本低廉、结构稳固等特点。

主权项

一种圆滑曲面微结构的制作方法，其特征在于所述的制作方法以负性化学放大光刻胶为圆滑曲面微结构的制作材料，制作步骤是：(a)首先在基片上旋涂第一层负性化学放大光刻胶，并软烘后冷却至室温，再通过光刻掩膜板进行曝光处理；所使用的光刻掩膜板的二维尺度应略小于待制作曲面微结构的宽度；(b)曝光处理后，直接在第一层负性化学放大光刻胶上旋涂第二层负性化学放大光刻胶，并进行后烘；利用后烘过程中第一层光刻胶曝光后产生的光酸各向同性扩散，催化曝光区域及其相邻扩散区域光刻胶分子交联；旋涂的第二层负性化学放大光刻胶的高度大于或等于第一层负性化学放大光刻胶光酸分子的径向扩散距离；(c)后烘后，将基片浸入显影液中，并显影，显影后，烘干制得具有圆滑曲面特征的微结构；其中，①所述的负性化学放大光刻胶的成份包括聚合物基质单体、溶剂和光解产酸剂；②步骤(a)软烘后第一层负性化学放大光刻胶中溶剂摩尔百分含量应小于10％；③后烘前第二层负性化学放大光刻胶的溶剂摩尔百分含量应大于10％。