| 发明名称 | 一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。 | ||
| 申请公布号 | CN101660200B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200910304181.6 | 申请日期 | 2009.07.09 |
| 申请人 | 南安市三晶阳光电力有限公司 | 发明人 | 郑智雄;马殿军;张伟娜;南毅;王致绪;徐诗双;洪朝海;程香 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B27/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C01B33/021(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 张松亭 |
| 主权项 | 一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法，包括以下步骤：a、将多晶硅材料装入石英坩埚中，封闭炉室，开循环水后抽真空；b、通入氩气，控制氩气流量大于真空泵抽速，炉室气压稳定后，关闭真空泵，开排气阀，调整氩气流量，使炉室内保持压力为1.01～1.05个大气压；c、逐渐加大加热功率，进行多晶硅的加热熔化，结晶，退火，冷却几个步骤，在此过程中炉室内压力保持1.01～1.05个大气压；d、步骤c完成后，关闭氩气，取出多晶硅铸锭。 | ||
| 地址 | 362000 福建省南安市霞美光伏电子信息产业园 | ||