发明名称 一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺
摘要 一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带焊接强度的工艺,在镀Ni/V膜之前,在非晶/微晶叠层薄膜电池上焊接镀锡铜带的位置盖上一层掩膜版,使俺盖的位置处不镀上Ni/V金属膜,之后将掩膜版去掉,使要焊接镀锡铜带的位置上留出Ag金属膜。本发明的优点在于:与常规PVD镀膜相比,使要焊镀锡铜带的位置上露出了Ag金属膜,Ag金属导电性更好,高温下也不易形成氧化层,并且镀锡铜带的外表面涂锡层中含有Ag成分,在助焊剂的帮助下,Ag金属膜更易与镀锡铜带焊接牢固,而且导电性更优。
申请公布号 CN101733536B 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN200910236853.4 申请日期 2009.11.04
申请人 新奥光伏能源有限公司 发明人 信德磊
分类号 B23K11/11(2006.01)I;B23K11/36(2006.01)I 主分类号 B23K11/11(2006.01)I
代理机构 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 代理人 刘伍堂
主权项 一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺,其流程特征在于:第一步:在PVD设备中,给经过激光划线的非晶/微晶叠层薄膜电池表面镀上Ag膜层;第二步:将正面镀过Ni膜的金属长方棒覆盖非晶/微晶叠层薄膜电池两侧需要焊接镀锡铜带的区域,形成掩膜区;第三步:再次将覆盖了金属长方棒的非晶/微晶叠层薄膜电池放入PVD设备中镀Ni/V膜层,取出镀完Ni/V膜层非晶/微晶叠层薄膜电池,去掉非晶/微晶叠层薄膜电池上的金属长方棒;第四步:采用点焊的方法对非晶/微晶叠层薄膜电池上露出的Ag膜区域焊接镀锡铜带。
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