| 发明名称 | 一种半导体结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的源区和漏区；形成在所述衬底之上的栅极接触区；和形成在所述衬底之上位于所述源区和漏区之间的堆叠结构，所述堆叠结构包括至少一个单元，所述单元包括第一栅极、第二栅极以及形成在所述第一栅极和第二栅极之间的沟道。通过这种堆叠型FET器件的结构，能够有效缩小器件尺寸，增强沟道控制能力，使低能耗高速度的22nm及以下的新一代VLSI技术得以实现。 | ||
| 申请公布号 | CN102299178A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010215167.1 | 申请日期 | 2010.06.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 梁擎擎;刘洪刚;朱慧珑;钟汇才 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的源区和漏区；形成在所述衬底之上的栅极接触区；和形成在所述衬底之上位于所述源区和漏区之间的堆叠结构，所述堆叠结构包括至少一个单元，所述单元包括第一栅极、第二栅极以及形成在所述第一栅极和第二栅极之间的沟道。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||