Structure of gas panel in apparatus for manufacturing semiconductor and high density plasma chemical vapor deposition apparatus including the same,申请号KR20090064576-传众专利搜索

发明名称	Structure of gas panel in apparatus for manufacturing semiconductor and high density plasma chemical vapor deposition apparatus including the same
摘要
申请公布号	KR101099716(B1)	申请公布日期	2011.12.28
申请号	KR20090064576	申请日期	2009.07.15
申请人		发明人
分类号	H01L21/02;C23C16/52;H01L21/205	主分类号	H01L21/02
代理机构		代理人
主权项
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