发明名称 |
用于光电器件的官能化聚芴 |
摘要 |
本发明涉及一种方法,其包括使包含至少一个式I结构基团的聚芴与式II的铱(III)化合物反应,其中:R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>独立地为烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基或其组合;R<sup>5</sup>为H或CHO;R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>独立地为氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基或其组合;R<sup>11</sup>和R<sup>12</sup>一起形成被取代或未被取代的单环或双环杂芳环;R<sup>13</sup>在每次出现时独立地为卤素、硝基、羟基、氨基、烷基、芳基、芳基烷基、烷氧基、被取代的烷氧基、被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基;Ar为芳基、杂芳基、被取代的芳基、被取代的杂芳基或其组合;X选自直接键、烷基、被取代的烷基和其组合;Y为CHO或NH<sub>2</sub>;Z为CHO或NH<sub>2</sub>,其中Z与Y不同;且p为0、1或2。本发明还涉及聚芴,其为所述反应反应的产物;和所述聚芴在光电器件中的用途。<img file="dpa00001415094400011.GIF" wi="1332" he="381" /> |
申请公布号 |
CN102300954A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN200980156267.7 |
申请日期 |
2009.09.23 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
K·S·基查克;L·N·路易斯;J·A·切拉;J·J·香 |
分类号 |
C09K11/06(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
徐晶;林森 |
主权项 |
1.包含至少一个式V结构基团的聚芴,<img file="FPA00001415094500011.GIF" wi="893" he="387" />其中:R<sup>6</sup>为式VI的基团<img file="FPA00001415094500012.GIF" wi="766" he="427" />R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>7</sup>独立地为氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和其组合;且R<sup>11</sup>和R<sup>12</sup>一起形成被取代或未被取代的单环或双环杂芳环;R<sup>13</sup>在每次出现时独立地为卤素、硝基、羟基、氨基、烷基、芳基、芳基烷基、烷氧基、被取代的烷氧基、被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基;Ar为芳基、杂芳基、被取代的芳基、被取代的杂芳基或其组合;W为-X′-NH-Y′-、-X′-N=Y″-、-X″=N-Y′-或其组合;X′选自直接键、亚烷基、被取代的亚烷基或其组合;Y′为亚烷基、被取代的亚烷基、亚芳基、被取代的亚芳基、氧杂亚烷基、被取代的氧杂亚烷基或其组合;X″为烷叉基、被取代的烷叉基或其组合;Y″为烷叉基、被取代的烷叉基、芳叉基、被取代的芳叉基或其组合;且p为0、1或2。 |
地址 |
美国纽约州 |