| 发明名称 | 一种检测器件肖特基漏电模式的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式。本发明是一种有效获得器件肖特基漏电模式的方法，实现了对器件肖特基漏电方式的检测，利于对器件进行肖特基漏电的可靠性分析，无论对于器件的工艺过程还是对器件可靠性的分析都具有重要的指导意义。 | ||
| 申请公布号 | CN102298100A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010217186.8 | 申请日期 | 2010.06.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;魏珂 |
| 分类号 | G01R31/02(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||