| 发明名称 | 功率用半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够抑制衬底部的温度上升的功率用半导体装置。功率用半导体装置（10A）具有半导体衬底（100A），在半导体衬底（100A）的厚度方向（103）流过电流。半导体衬底（100A）包括以如下方式构成的电阻控制结构：针对上述电流的电阻在半导体衬底（100A）的部比半导体衬底（100A）的外周部高。 | ||
| 申请公布号 | CN102299172A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201110110576.X | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 羽鸟宪司 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种功率用半导体装置，具有半导体衬底，并且，在所述半导体衬底的厚度方向流过电流，其特征在于，所述半导体衬底具有电阻控制结构，该电阻控制结构以如下方式构成：针对所述电流的电阻在所述半导体衬底的中央部比所述半导体衬底的外周部高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||