发明名称 |
薄膜型太阳能电池的制造方法以及用该方法所制造出的薄膜型太阳能电池 |
摘要 |
公布了一种制造薄膜型太阳能电池的方法以及使用这种方法所制造的薄膜型太阳能电池。所述方法包括:用来在衬底上以预定间隔形成多个单体前电极图案的第一过程;用来在所述衬底上形成半导体层图案的第二过程,其中,所述半导体层图案包括将所述太阳能电池划分成单体电池的分隔部分和将所述电极图案电连接起来的接触部分;以及用来形成多个单体后电极图案的第三过程,其中,所述多个单体后电极图案通过所述接触部分分别与所述单体前电极图案相连,并且通过所述分隔部分彼此分隔开。 |
申请公布号 |
CN102299199A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN201110236582.X |
申请日期 |
2008.08.06 |
申请人 |
周星工程股份有限公司 |
发明人 |
金宰湖;洪震;梁昶实 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/05(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
许向彤;林锦辉 |
主权项 |
一种薄膜型太阳能电池的制造方法,包括:在衬底上以预定间隔形成多个单体前电极图案;在最靠外的单体前电极图案中形成第一隔离部分,以便由所述第一隔离部分将所述衬底的最靠外部分隔离开;在所述衬底和所述单体前电极图案上形成半导体层;在所述半导体层中形成分隔部分,以将所述太阳能电池划分成单体电池;在所述半导体层中形成用于电连接的接触部分;在所述半导体层中形成第二隔离部分,其中,所述第二隔离部分形成在所述半导体层中与所述第一隔离部分和所述半导体层的最靠外部分对应之处;以及形成多个单体后电极图案,所述多个单体后电极图案通过所述接触部分分别与所述单体前电极图案相连,并且通过所述分隔部分彼此分隔开。 |
地址 |
韩国京畿道 |