一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管

摘要

一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，属于微电子技术领域。包括(0001)晶向的GaN薄膜和AlxGa1-xN(0＜x≤1)薄膜形成的GaN异质结；在AlxGa1-xN薄膜上具有栅、源、漏电极，在栅电极与AlxGa1-xN薄膜之间具有栅介质薄膜；所述栅介质薄膜或者是LiNbO3(LNO)铁电薄膜、或者是LiTaO3(LTO)铁电薄膜、或者是M元素掺杂的LNO或LTO铁电薄膜。由于LNO或LTO铁电薄膜中的C+方向铁电自发极化的作用，导致AlGaN/GaN异质结中的2DEG被完全耗尽，从而使得本发明提供的铁电薄膜栅GaN异质结场效应晶体管表现出常关特征，即形成增强型器件。本发明提供的铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管具有结构简单的特点，且实现工艺简单、重复性好、稳定性和可靠性高。

主权项

一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，包括位于衬底表面、(0001)晶向的GaN薄膜；位于GaN薄膜表面、(0001)晶向的AlxGa1‑xN薄膜，其中0＜x≤1；所述AlxGa1‑xN薄膜与GaN薄膜形成GaN异质结；在所述AlxGa1‑xN薄膜上具有栅、源、漏电极，其中栅电极位于源电极和漏电极之间，且在栅电极与AlxGa1‑xN薄膜之间具有栅介质薄膜；其特征在于，所述栅介质薄膜或者是LiNbO3(LNO)铁电薄膜、或者是LiTaO3(LTO)铁电薄膜、或者是M元素掺杂的LNO或LTO铁电薄膜。