| 发明名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成至少一个栅堆叠结构和夹于各所述栅堆叠结构之间的层间材料层；确定隔离区区域并去除位于所述区域内的所述层间材料层和部分高度的所述半导体衬底，以形成凹槽；去除位于所述区域内承载所述栅堆叠结构的所述半导体衬底；以绝缘材料填充所述凹槽。还提供了一种半导体器件。可减小隔离区的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102299092A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010215165.2 | 申请日期 | 2010.06.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成至少一个栅堆叠结构和夹于各所述栅堆叠结构之间的层间材料层；确定隔离区区域并去除位于所述区域内的所述层间材料层和部分高度的所述半导体衬底，以形成凹槽；去除位于所述区域内承载所述栅堆叠结构的所述半导体衬底；以绝缘材料填充所述凹槽。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||