| 发明名称 | 一种CuI薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于电化学领域，具体是一种CuI薄膜的制备方法，包括CuI纳米管，其特征在于：以FTO玻璃做衬底、高纯度的去离子水做反应溶剂，以CuSO4和KI为反应溶质，以EDTA做络合剂，采用电化学方法在沉积电位为-0.05～-0.6V、沉积时间为30～200分钟制备而成。本发明以FTO衬底作工作电极、高纯度铂片做对电极，饱和氯化银电极做参比电极，连接好电化学系统，以此系统作为反应系统进行CuI高质量薄膜的生长反应。本发明具有通过简单的方法制备出高质量的CuI薄膜、生产成本低，所制备的膜可直接应用于太阳能电池等光电子器件、便于工业化生产等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102296337A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201110154539.9 | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 浙江东晶光电科技有限公司;浙江东晶电子股份有限公司 | 发明人 | 李京波;李庆跃;李凯;孟秀清;池旭明;李树深;夏建白 |
| 分类号 | C25D9/04(2006.01)I | 主分类号 | C25D9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人 | 黄飞 |
| 主权项 | 一种CuI薄膜的制备方法，包括CuI纳米管，其特征在于：以FTO玻璃做衬底、高纯度的去离子水做反应溶剂，以CuSO4和KI为反应溶质，以EDTA做络合剂，采用电化学方法在沉积电位为‑0.05～‑0.6V、沉积时间为30～200分钟制备而成。 | ||
| 地址 | 321016 浙江省金华市秋滨街道花溪路218号（330国道北金帆街西侧） | ||