高可靠厚膜混合集成电路键合系统及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高可靠厚膜混合集成电路键合系统，其特征在于该键合系统是间接键合的键合系统，即在金键合区表面，先增加一层阻挡层金属薄膜，再增加一层可与硅-铝丝进行高可靠性键合的金属薄膜，形成多层过渡性薄膜，再在其上面进行硅铝丝键合的键合系统。本发明有以下特点：①改善厚膜金导带键合区与硅铝丝的键合性能。②可以在同一金导带键合区上形成局部镍键合区或铝键合区，同时兼容金丝键合、硅铝丝键合。③采用金属掩模定位套准、高真空淀积成膜技术，对厚膜基片无任何损伤作用。应用于以金导带或银导带为基片的所有厚膜混合集成电路，可提高混合集成电路的可靠性，在航空、航天、航海、通讯、工业控制等领域有广阔的应用空间。

主权项

一种高可靠厚膜混合集成电路键合系统，其特征在于该键合系统是间接键合的键合系统，即在金键合区表面，先增加一层阻挡层金属薄膜，再增加一层可与硅‑铝丝进行铝‑铝键合、铝‑镍键合的金属薄膜，形成多层过渡性薄膜，再在其上面进行硅铝丝键合的键合系统；在同一金导带键合区上可形成局部镍键合区或铝键合区，形成双键合区，同时兼容金丝键合、硅铝丝键合。