| 发明名称 | 一种T型栅结构的低功耗隧穿场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低功耗隧穿场效应晶体管TFET，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明TFET包括源、漏和控制栅，其中，控制栅向源极端延展成T型，该T型控制栅由延展出来的栅区和原控制栅区组成，在延展栅区下覆盖的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料。本发明采用T型栅结构，实现TFET的源区包围沟道，提高器件导通电流。与现有的平面TFET相比，在同样的工艺条件，同样的有源区尺寸下，可以得到更高的导通电流以及更陡直的亚阈值斜率。 | ||
| 申请公布号 | CN102005481B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010530475.3 | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 詹瞻;黄芊芊;黄如;王阳元 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种低功耗隧穿场效应晶体管，包括源、漏和控制栅，其特征在于，控制栅向源极端延展成T型，所述T型控制栅由延展出来的栅区和原控制栅区组成，在延展栅区下覆盖的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||