发明名称 一种微弧氧化过程电参数的控制方法
摘要 本发明公开了一种微弧氧化过程电参数的控制方法:将经过表面整理的预处理件和对电极分别与电源的输出端口连接后浸入微弧氧化电解液中,先以电流密度起始值imi启动电流施加,随后以阶梯降流方式进行控流处理,当电流密度降至终止值iend后维持该电流密度,直到控流处理过程的总时间tT结束,最后进行控压处理,直到处理时间或电压满足预设条件。本发明提供的方法不仅能有效削弱控压微弧氧化启动瞬间产生的电流脉冲对电源系统的冲击,显著降低对微弧氧化恒压功能相关技术参数的要求,大幅节约电源的制造/采购成本,而且能够提高电能利用率,降低热损耗,在提高微弧氧化处理效率的同时,有效改善成膜质量。
申请公布号 CN101275262B 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN200710032664.6 申请日期 2007.12.18
申请人 华南理工大学 发明人 张永君
分类号 C25D11/02(2006.01)I 主分类号 C25D11/02(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 何淑珍
主权项 1.一种微弧氧化过程电参数的控制方法,其特征在于:将经过表面整理的预处理件和对电极分别与电源的输出端口连接后浸入微弧氧化电解液中,先以电流密度起始值i<sub>ini</sub>启动电流施加,随后以阶梯降流方式进行控流处理,当电流密度降至终止值i<sub>end</sub>后维持该电流密度,直到控流处理过程的总时间t<sub>T</sub>结束,最后进行控压处理,直到处理时间或电压满足预设条件;所述的阶梯降流的电流密度的起始值i<sub>ini</sub>为10-200mA/cm<sup>2</sup>;所述的阶梯降流的平均速度<img file="FSB00000615708800011.GIF" wi="29" he="52" />值为0.1-50mA/cm<sup>2</sup>.min;所述的阶梯降流的周期ΔT值为0.1sec-10min;所述的阶梯降流的电流密度的终止值i<sub>end</sub>为2-100mA/cm<sup>2</sup>;所述的控流处理的总时间t<sub>T</sub>的值为2.5min-1h。
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号