| 发明名称 | 纳米线隧穿晶体管 | ||
| 摘要 | 一种晶体管，其包括纳米线(22，22’)，该纳米线(22，22’)具有被本征区或低掺杂区(26，28)分隔的源极(24)和漏极(29)。在本征区或低掺杂区(26，28)和源极(24)及漏极(29)中的一个的交界面处形成势垒。在该势垒的附近提供栅极电极(32)，从而，通过将适当的电压施加至栅极电极(32)可调制该势垒的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN101375398B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200780003425.6 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 弗雷德·胡尔克斯;普拉巴特·阿加瓦尔 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种晶体管，其包括纳米线(22，22’)，该纳米线(22，22’)具有被本征区或低掺杂区(26，28)分隔的源极(24)和漏极(29)，其中在本征区或低掺杂区(26，28)和源极(24)及漏极(29)中的一个的交界面处形成势垒，其中在势垒的附近提供栅极电极(32)，从而通过向栅极电极(32)施加适当的电压能够调制势垒的有效高度和/或宽度，所述纳米线还具有势垒区(27)，所述势垒区(27)位于所述源极(24)和漏极(29)之间的本征区或低掺杂区(26，28)的内部，在势垒区(27)和本征区或低掺杂区(26，28)的交界面处形成肖特基势垒。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||