一种发光二极管的外延结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种发光二极管的外延结构及其制造方法，在GaAs衬底层的上面自下而上依次为布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，所述的有源层是由n组量子阱和量子垒交替组成，其中100≥n≥2，且同一个量子垒中的势垒高度为渐变式分布或不同量子垒之间的势垒高度为渐变式分布；其制造方法包括以下步骤：选择GaAs为衬底层，在GaAs衬底层上依次生长布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，其中有源层是由n组量子阱和量子垒交替生长而成，量子垒用（AlxGa1-x）yIn1-yP三五族化合物构成，其中1≥x≥0.5，本发明增强了量子垒对电子的限制作用，提高量子阱里电子和空穴的复合率，从而提高发光二极管的亮度。

主权项

一种发光二极管的外延结构，在GaAs衬底层的上面自下而上依次为布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，其特征在于：所述的有源层是由n组量子阱和量子垒交替组成，其中100≥n≥2，且同一个量子垒中的势垒高度为渐变式分布或不同量子垒之间的势垒高度为渐变式分布。