| 发明名称 | 半导体发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，半导体发光装置具备：在基板(101)上形成的n型覆层(102)；在n型覆层(102)上形成且具有阱层以及障壁层的活性层(105)；在活性层(105)上形成的p型覆层(109)。其中，阱层由含有铟的氮化物半导体构成，且阱层的氢浓度高于n型覆层(102)的氢浓度，且低于p型覆层(109)的氢浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN102301548A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201080003286.9 | 申请日期 | 2010.09.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 春日井秀纪;池户教夫 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，其特征在于，具备：n型覆层，其形成在基板上；活性层，其形成在所述n型覆层上，并具有阱层以及障壁层；和p型覆层，其形成在所述活性层上，其中，所述阱层由含有铟的氮化物半导体构成，所述阱层的氢浓度高于所述n型覆层的氢浓度且低于所述p型覆层的氢浓度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||