| 发明名称 | 成膜装置和气体排出部件 | ||
| 摘要 | 成膜装置(100)具备：收容晶片(W)的腔室(1)；在腔室(1)内载置晶片(W)的载置台(2)；在载置台(2)上加热晶片(W)的加热器(5a、5b)和；设置为与载置台(2)对向，向晶片(W)排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷淋板(12)，其是在晶片(W)的表面，形成在成膜温度下热膨胀率比喷淋板(12)的主体(13)的热膨胀率低5×10-6/℃以上的膜的装置，喷淋板(12)在与主体(13)的载置台(2)相对的表面形成有厚度为10μm以上的阳极氧化被膜(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN102301460A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201080006085.4 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岩田辉夫;桑嶋亮;网仓学;桥本毅;内田博章 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种成膜装置，其使处理气体在被加热的被处理基板上反应，在被处理基板的表面形成膜，该成膜装置的特征在于，包括：收容被处理基板的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的载置台；对所述载置台上的被处理基板进行加热的加热机构；和气体排出部件，其在所述处理容器内与所述载置台对向设置，向被处理基板排出所述处理气体，其中所述气体排出部件具有在成膜温度下热膨胀率比所述膜高5×10‑6/℃以上的主体，和在所述主体的与所述载置台相对的面氧化处理主体而形成的厚度在10μm以上的氧化被膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||