一种带硅太阳电池的制备工艺

摘要

本发明公开了一种带硅太阳电池的制备工艺，该工艺是以带硅为衬底材料，首先在带硅衬底上进行扩散，制作p-n结，然后在p-n结的前表面上沉积SiNx减反射层，在p-n结的背面采用丝网印刷技术制作背电极和背电场，再采用激光喷墨技术在带硅电池前表面的SiNx减反射层上开槽并制作籽晶层，采用电镀方法在籽晶层上原位生长正电极，最后退火即制得带硅太阳电池。该制备工艺利用激光喷墨和电镀技术克服了带硅太阳电池正电极制作工序中串联电阻高以及碎片率居高不下的问题。

主权项

一种带硅太阳电池的制备工艺，其特征是：以带硅为衬底材料，首先在带硅衬底上进行扩散，制作p‑n结，然后在p‑n结的前表面上沉积SiNx减反射层，在p‑n结的背面采用丝网印刷技术制作背电极和背电场，再采用激光喷墨技术在带硅电池前表面的SiNx减反射层上开槽并制作籽晶层，采用电镀方法在籽晶层上原位生长正电极，最后退火即制得带硅太阳电池。