| 发明名称 | 纳米图形化衬底及其制备方法和发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种纳米图形化衬底及其制备方法和发光二极管，属于发光二极管领域。其中，该纳米图形化衬底的制备方法，包括：提供一第一蓝宝石衬底；在所述第一蓝宝石衬底上沉积一金属铝薄层；将所述金属铝薄层阳极氧化成具有均匀多孔结构的氧化铝；将所述氧化铝转化成具有均匀多孔结构的第二蓝宝石衬底。本发明实施例的技术方案制造工艺简单并且能够降低发光二极管的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102299219A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201110250560.9 | 申请日期 | 2011.08.29 |
| 申请人 | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 | 发明人 | 高成 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 张敬强;李家浩 |
| 主权项 | 一种纳米图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供一第一蓝宝石衬底；在所述第一蓝宝石衬底上制备一金属铝薄层；将所述金属铝薄层阳极氧化成具有均匀多孔结构的氧化铝；将所述氧化铝转化成具有均匀多孔结构的第二蓝宝石衬底。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港经济开发区 | ||