| 发明名称 | 等离子体浸没离子注入设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有内衬，所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。通过本发明提出的设备可减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的污染；而且还使进入到反应腔室内的气体分布比较均匀，减小注入基片台的边缘效应，从而提高等离子体浸没离子注入的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102296276A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010209824.1 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，其特征在于：所述离子注入腔室内四壁设有内衬，所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||