电子器件阵列

摘要

本发明涉及电子器件阵列。一种制造该电子器件阵列的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在上述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道，用于上述第一电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动，以及提供第二沟道用于上述第二电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动；其中该方法还包括利用照射技术以在单个步骤中减少在第一和第二导电元件之间的一个或多个区域中的沟道材料层的一个或多个选定部分的导电性的步骤a。

主权项

一种制造电子器件阵列的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在所述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道，用于所述第一电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动，以及提供第二沟道用于所述第二电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动；其中该方法还包括利用照射技术以在单一步骤中减小在第一和第二导电元件之间的一个或多个区域中的沟道材料层的一个或多个选定部分的导电性的步骤(a)。