| 发明名称 | 构图金属栅极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结构具有伪栅极，从所述第一、第二、第三和所述第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分别形成第一、第二、第三和第四沟槽，形成金属层以部分地填充所述第一、第二、第三和第四沟槽，在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层，蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层，除去所述第一光致抗蚀剂层，在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层，蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属层，以及除去所述第二光致抗蚀剂层。 | ||
| 申请公布号 | CN101740506B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200910210094.4 | 申请日期 | 2009.11.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 叶明熙;林舜武;王崇铭;陈启群 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结构具有伪栅极；从所述第一、第二、第三和第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分别形成第一、第二、第三和第四沟槽；形成金属层以部分地填充所述第一、第二、第三和第四沟槽；在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层；蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层；除去所述第一光致抗蚀剂层；在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层；蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属层；以及除去所述第二光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||