一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺

摘要

本发明涉及一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)将硅片背面研磨减薄并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅片背面注入硼离子；(5)进行炉管低温退火；(6)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面生成铝薄层，并合金处理；(7)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面依次制备钛、镍、银金属层。本发明由于在硅片背面采用先注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理，然后注入硼离子并进行低温退火，提高了注入硼杂质的激活率，因此增强了对漂移区的电导调制效应，有效地降低了导通电阻和导通电压。本发明可以广泛应用于半导体制作工艺中。

主权项

一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其步骤如下：(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)采用砂轮研磨方式，从非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片的背面，将硅片减薄到厚度为80～250um之间，并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅片背面经所述步骤(3)预非晶化处理后，再注入硼离子；(5)将硅片进行炉管低温退火；(6)采用溅射或蒸发工艺，在硅片背面生成铝薄层，并做合金处理；(7)采用溅射或蒸发工艺，在硅片背面的铝薄层上，依次制备钛、镍、银金属层。