| 发明名称 | 一种半导体器件的形成方法及其半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法及其半导体器件。其中，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘界面层；在绝缘界面层上形成第一金属层；在第一金属层上形成栅介质层；在栅介质层上形成第二金属层；对所述器件进行加工，以形成栅极结构。该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅极结构，其中，所述栅极结构包括：在所述半导体衬底上的绝缘界面层、在所述绝缘界面层上的第一金属层、在所述第一金属层上的栅介质层、在所述栅介质层上的第二金属层。采用本发明，可以显著改善高k介质和界面绝缘层直接接触所带来的负面偶极子效应，大大提高阈值电压控制范围。 | ||
| 申请公布号 | CN102299110A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010215850.5 | 申请日期 | 2010.06.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王晓磊;王文武;韩锴;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘界面层；在所述绝缘界面层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第二金属层；对所述器件进行加工，以形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||