| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在栅极电极与源极电极和漏极电极之间；有源层，设置在栅极绝缘层与源极电极和漏极电极之间。该有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。 | ||
| 申请公布号 | CN102299182A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201110176922.4 | 申请日期 | 2011.06.23 |
| 申请人 | 周星工程股份有限公司 | 发明人 | 金宰湖 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与所述栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在所述栅极电极与所述源极电极和漏极电极之间；有源层，设置在所述栅极绝缘层与所述源极电极和漏极电极之间，其中有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||