具有埋置的选择栅的非易失性存储器单元及其制造方法

摘要

一种存储器装置及其制造方法，其中在半导体衬底的表面中形成沟槽。源极和漏极区域限定其间的沟道区域。漏极在沟槽下面形成。沟道区域包括沿着沟槽的底部壁延伸的第一部分、沿着沟槽的侧壁延伸的第二部分和沿着衬底表面延伸的第三部分。浮栅布置在沟道区域第三部分上面。控制栅布置在该浮栅上面。选择栅至少部分布置在沟槽中并且相邻于沟道区域第一部分和第二部分。擦除栅布置为相邻于该浮栅并与之绝缘。

主权项

一种电可编程和可擦除的存储器装置，包括：具有第一导电类型和表面的半导体材料的衬底；形成到该衬底的表面中的沟槽；形成在衬底中的并且具有第二导电类型的第一和第二间隔开的区域，沟道区域在第一和第二区域之间的衬底中，其中所述第二区域在所述沟槽下面形成，并且所述沟道区域包括沿着所述沟槽的底部壁延伸的第一部分、沿着所述沟槽的侧壁延伸的第二部分、和沿着所述衬底的表面延伸的第三部分；布置在所述沟道区域第三部分上面并与之绝缘的电传导浮栅，用于控制所述沟道区域第三部分的导电性；布置在该电传导浮栅上面并且与之绝缘的电传导控制栅；至少部分布置在所述沟槽中并且横向相邻于所述沟道区域第二部分并与之绝缘、且位于所述沟道区域第一部分的上面并与之绝缘的电传导选择栅，其用于控制所述沟道区域第一部分和第二部分的导电性；以及横向相邻于该电传导浮栅并与之绝缘布置的电传导擦除栅。