| 发明名称 | ABO<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub>/MgO/Ⅲ-V族氮化物半导体异质结构及制备方法 | ||
| 摘要 | ABO3/TiO2/MgO/III-V族氮化物半导体异质结构及制备方法，涉及微电子材料领域。本发明包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层。本发明首次在低温下通过激光分子束外延的方式在GaN外延片上制备了外延质量良好的TiO2/MgO复合缓冲层，其中MgO层起到势垒层的作用，而TiO2作为模板层可以有效诱导ABO3薄膜外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101826550B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010159582.X | 申请日期 | 2010.04.29 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 朱俊;罗文博;李言荣;张鹰 |
| 分类号 | H01L29/15(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | ABO3/TiO2/MgO/III‑V族氮化物半导体异质结构，包括衬底基片和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层，所述TiO2模板层为纳米厚度，所述衬底基片为III‑V族氮化物半导体衬底基片。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 | ||