| 发明名称 | 磁存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种磁存储单元，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅电极与位线相连；位于所述第一晶体管的沟道绝缘层和栅电极之间的磁性隧道结MTJ；和第二晶体管，所述第二晶体管的源/漏极之一与所述MTJ串行连接，其中，所述磁存储单元的写操作由所述第一晶体管控制，所述磁存储单元的读操作由所述第二晶体管控制。本发明将磁存储单元的写操作和读操作分别设在两个通路上进行，从而在保证磁存储单元性能的基础上，大大地减小了写操作时所需的晶体管的沟道宽度，从而减小整个磁存储单元的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101777569B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201010033996.8 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 邓宁;陈培毅;曲秉郡;张磊;张树超;董浩;任敏 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张磊 |
| 主权项 | 一种磁存储单元，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅电极与位线相连；位于所述第一晶体管的沟道绝缘层和栅电极之间的磁性隧道结MTJ；和第二晶体管，所述第二晶体管的源/漏极之一与所述MTJ串行连接，其中，所述磁存储单元的写操作由所述第一晶体管控制，所述磁存储单元的读操作由所述第二晶体管控制；所述MTJ的固定层与所述第二晶体管的源/漏极之一以及所述第一晶体管的沟道绝缘层相连，所述MTJ的自由层与所述第一晶体管的栅电极相连。 | ||
| 地址 | 100084 北京市100084-82信箱 | ||