| 发明名称 | 热处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有low-k膜和配线膜的晶片(W)收容在热处理炉(41)内的工序；利用质量流量控制器(44d)对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉(41)内供给的工序；和利用设置在热处理炉(41)中的加热器(41b)对供给气相醋酸酐后的热处理炉(41)内的晶片(W)进行加热的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101496147B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN200780028267.X | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 三好秀典;成岛正树 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种热处理方法，其特征在于，包括：将形成有低介电常数层间绝缘膜和/或金属膜的基板收容在处理容器内的工序；对含有羧酸酐、有机酸胺盐、有机酰胺、有机酰肼、有机酸金属配合物和有机酸金属盐中至少一种的具有还原性的气相有机化合物进行流量调节，并向所述处理容器内供给的工序；和对已供给所述气相有机化合物的所述处理容器内的基板进行加热的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||