发明名称 | 直流电压转换器 | ||
摘要 | 本发明提供一种直流电压转换器,其中,包括一电感、一脉冲宽度调节器、一负载感测电路、一可调式使能信号产生器、以及一功率晶体管组。该脉冲宽度调节器将根据一转换电压输出端的电压产生一脉冲。该负载感测电路负责感测一负载电流的大小。根据该脉冲以及该负载电流的大小,该可调式使能信号产生器产生一PMOS使能信号以及一NMOS使能信号。其中,该负载电流愈大,则该PMOS使能信号与该NMOS使能信号之间的一第一停滞时间愈短。该功率晶体管组包括至少一PMOS与一NMOS,用以将该转换电压输出端经由该电感耦接至一原始直流电压源或一接地端。所述PMOS与NMOS的导通状况将分别由该PMOS使能信号与该NMOS使能信号控制。 | ||
申请公布号 | CN101330257B | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
申请号 | CN200710112017.6 | 申请日期 | 2007.06.19 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈科宏;黄宏玮;郭斯彦;钟启晨 |
分类号 | H02M3/335(2006.01)I | 主分类号 | H02M3/335(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 葛宝成;黄小临 |
主权项 | 一种直流电压转换器,包括:一电感;一脉冲宽度调节器,根据该直流电压转换器的一转换电压输出端的电压产生一脉冲;一负载感测电路,感测该直流电压转换器的一负载电流的大小;一可调式使能信号产生器,根据该脉冲以及该负载电流的大小产生一P型金属氧化物半导体晶体管使能信号以及一N型金属氧化物半导体晶体管使能信号,其中,该负载电流愈大,则该P型金属氧化物半导体晶体管使能信号的上升动作与该N型金属氧化物半导体晶体管使能信号的上升动作之间的一第一停滞时间愈短;以及一功率晶体管组,包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管与一N型金属氧化物半导体晶体管,该P型金属氧化物半导体晶体管用于将该转换电压输出端经由该电感耦接至一原始直流电压源,且该N型金属氧化物半导体晶体管用于将该转换电压输出端经由该电感耦接至一接地端,其中,上述P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管的导通状态分别由该P型金属氧化物半导体晶体管使能信号与该N型金属氧化物半导体晶体管使能信号控制。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县 |