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<p>저항성 교차점 메모리 셀은 다수의 워드 라인(14)과, 다수의 비트 라인(16)과, 워드 라인(14) 및 비트 라인(16)에 의해 형성되는 다수의 교차점 및 교차점의 다른 지점에 각각 위치하는 다수의 메모리 셀(18)을 포함하되, 제 1 비트 라인은 비트 라인(16)의 전체 길이를 따라 분포된 직렬 다이오드를 포함하여 제 1 비트 라인(16)을 따라 위치한 각각의 연관된 메모리 셀(18)이 분포형 직렬 다이오드와 연관된 워드 라인(14) 사이에 결합된다.</p> |
