| 摘要 |
<p>회로기판의 형성 방법이 제공된다. 상기 방법은 회로기판물질로부터 회로기판의 서브스트레이트(112)를 형성하는 것을 포함한다. 상기 방법은 또한, 3차원 윤곽면(300)을 가지는 강성 구조물 상에 상기 회로기판의 서브스트레이트를 배치하는 것을 포함한다. 상기 방법은 또한, 상기 회로기판의 서브스트레이트를 상기 3차원 윤곽면(300)에 적어도 부분적으로 따르게 하기 위해 상기 회로기판의 서브스트레이트에 열을 적용하고, 압력을 적용하는 것을 더 포함한다. 상기 회로기판의 서브스트레이트(112)가 클래드(clad) 회로기판의 서브스트레이트인 경우, 그때 회로패턴은 열을 적용하고, 압력을 적용하는 단계 이전에 상기 회로기판의 서브스트레이트 상에 형성된다. 그러나, 언클래드(unclad) 회로기판의 서브스트레이트인 경우, 그때 회로패턴은 열을 적용하고, 압력을 적용하는 단계 이후에 상기 회로기판의 서브스트레이트 상에 배치된다.</p> |
