| 摘要 |
<p>본 발명은, 반도체 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 형성한 후, 베리드 비트라인을 정의하도록 상기 패드 질화막을 패터닝하는 단계와, 베리드 접합 영역을 형성하기 위하여 상기 패드 질화막을 마스크로 이온주입을 실시하는 단계와, 패터닝된 상기 패드 질화막을 식각 마스크로 사용하여 상기 베리드 접합 영역 내에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 반도체 기판 상에 상기 트렌치를 매립하도록 폴리실리콘막을 증착한 후, 상기 폴리실리콘막이 상기 반도체 기판 표면보다 위로 돌출되는 높이까지 상기 폴리실리콘막 및 상기 패드 질화막을 화학기계적 연마하는 단계와, 노출된 상기 패드 질화막 및 상기 패드 산화막을 식각하여 제거하는 단계와, 산화 공정을 이용하여 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상에 게이트 전극용 물질막을 증착한 후, 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 마스크 롬 장치의 제조방법에 관한 것이다.</p> |
