| 摘要 |
<p>반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판 상에 지정된 간격으로 이격되며, 양측면 상에 스페이서들이 형성된 게이트 구조물을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판 상에 상기 스페이서들의 양측면을 덮는 희생 패턴을 형성하는 단계와, 상기 희생 패턴에 의하여 노출된 상기 반도체 기판을 산화시키어 상기 스페이서들로부터 소정 간격으로 이격된 산화막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 희생 패턴을 제거하는 단계와, 상기 희생 패턴의 제거로 노출된 상기 각 스페이서들 및 상기 산화막 패턴 사이의 상기 반도체 기판에 지지 패턴들을 성장시키는 단계와, 상기 산화막 패턴을 제거하는 단계와, 상기 산화막 패턴의 제거로 노출된 상기 지지패턴들 사이의 상기 반도체 기판에 선택적 에피택셜 성장층을 성장시키는 단계를 포함한다. 이로써, 본 발명에 따른 지지패턴을 형성해줌으로써, 평탄한 상면을 갖는 선택적 에피택셜 성장층을 형성하여 선택적 에피택셜 성장층의 높이 차이(Facet)를 최소화시켜줄 수 있으며, 이를 통해, 후속 접합 영역을 형성하기 위한 이온주입 공정에서 불순물의 도핑영역을 균일하게 해줄 수 있는 효과가 있다.</p> |
