| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite und einer Rückseite, umfassend folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge: (a) simultane Politur von Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe zwischen zwei Poliertellern, die jeweils mit einem Poliertuch enthaltend fest gebundene abrasiv wirkende Partikel beaufschlagt sind, wobei eine alkalische Lösung, die frei von Feststoffen ist, zugeführt wird; (b) simultane Politur von Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe zwischen zwei Poliertellern, die jeweils mit einem Poliertuch beaufschlagt sind, wobei eine alkalische Suspension enthaltend abrasiv wirkende Partikel zugeführt wird; (c) Politur der Vorderseite der Halbleiterscheibe auf einem Poliertuch unter Zufuhr einer Suspension enthaltend abrasiv wirkende Partikel; wobei bei Schritt (a) und bei Schritt (b) jeweils ein von den zwei mit Poliertuch beaufschlagten Poliertellern gebildeter Arbeitsspalt bestimmt und die Form mindestens eines Poliertellers mechanisch oder thermisch in Abhängigkeit von der gemessenen Geometrie des Arbeitsspalts so verändert wird, dass der Arbeitsspalt eine vorgegebene Form aufweist.</p> |
