METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
摘要
<p>산소의 조성비를 1로 했을 때에 수소의 조성비가 3 이상이 되도록, 산소 가스 및 수소 가스를 플라즈마 발생실(430)에 공급하고, 플라즈마 발생실(430) 내에서 산소 가스 및 수소 가스를 플라즈마 반응시켜, 플라즈마 발생실(430)에 연속하여 설치된 처리실(445)에 수납된 웨이퍼(600) 표면으로부터 레지스트를 제거한다.</p>
