发明名称 Flash memory device and method of manufacturing the same
摘要 <p>본 발명에 의하면, 이븐 셀 스트링 및 오드 셀 스트링의 채널 저항이 동일하여 비트라인 사이의 전류량이 동일하고, 그에 따라 플래쉬 메모리 소자의 오동작이 발생되지 않는다.</p>
申请公布号 KR101097121(B1) 申请公布日期 2011.12.22
申请号 KR20090036616 申请日期 2009.04.27
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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