| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 퓨즈 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 제1배선과 그 상부에 제1층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제1층간절연막 상에 제1, 제2식각방지막이 형성되며, 상기 제1, 제2식각방지막 사이에 제2층간절연막이 구비된 제2배선을 형성하는 단계; 상기 제2식각방지막 상에 제3층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제3층간절연막 상에 패드와 퓨즈를 형성하는 단계; 상기 패드와 퓨즈를 포함한 상부에 제1, 제2보호막을 차례로 형성하는 단계; 상기 패드와 퓨즈가 드러나도록 상기 제1, 제2보호막을 식각하는 제1리페어 식각을 실시하여 패드오픈부와 퓨즈오픈부를 동시에 형성하는 단계; 및 상기 제2식각방지막에서 식각이 정지되도록 상기 퓨즈오픈부 아래 상기 제3층간절연막을 식각하는 제2리페어 식각하는 단계를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명은 베어 퓨즈의 리페어 식각 공정시, 2단계의 식각 공정을 적용함으로써, 퓨즈 하부에 구성된 층간절연막들의 손실을 줄여서 식각 균일도를 향상시킬 수 있고, 후속 퓨즈 블로잉에 의한 리페어 공정시 FTA를 저하하는 요인을 줄일 수 있다는 효과가 있다.</p> |
