发明名称 Kontaktstellenstruktur, Kontaktstellen-Layoutstruktur, Halbleiterbauelement und Kontaktstellen-Layoutverfahren
摘要 <p>Layoutstruktur von Kontaktstellen, die auf einem Halbleiterbauelement ausgebildet sind und für ein Testen und/oder Drahtbonden des Halbleiterbauelements verwendet werden, mit–einem ersten Subsatz (PD412, ...) von Kontaktstellen, die Nicht-Drahtbondkontaktstellen sind, welche zum Testen des Bauelements und nicht zum Drahtbonden des Bauelements verwendet werden, und–einem zweiten Subsatz (PD411, PD413, PD414, ...) von Kontaktstellen, die Drahtbondkontaktstellen sind, welche zum Drahtbonden des Bauelements verwendet werden, wobei–die Nicht-Drahtbondkontaktstellen jeweils ein erstes Oberflächengebiet aufweisen, das kleiner als ein zweites Oberflächengebiet jeder der Drahtbondkontaktstellen ist,–wenigstens eine (PD413) der Drahtbondkontaktstellen einen Testbereich (405), der während des Testens des Halbleiterbauelements verwendet wird, und einen Drahtbondbereich (406) beinhaltet, der während des Drahtbondens des Halbleiterbauelements verwendet wird, und–der Testbereich (405) in einer Linie mit den Nicht-Drahtbondkontaktstellen angeordnet ist und der Drahtbondbereich (406) quer zur Richtung der Anordnungslinie des Testbereichs mit den Nicht-Drahtbondkontaktstellen an den Testbereich angrenzt...</p>
申请公布号 DE102006008454(B4) 申请公布日期 2011.12.22
申请号 DE20061008454 申请日期 2006.02.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, NA-RAE;SON, TAE-SIK;OH, HEE-JOONG;KWAK, BYUNG-HEON;JOO, JAE-HOON
分类号 H01L23/50;H01L21/66 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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