| 摘要 |
<p>본 발명은 금속 박막의 식각 특성을 개선하면서도 패턴 변형을 방지할 수 있는 ArF 포토리소그라피 공정을 이용한 금속박막 패턴 형성 방법 및 금속 배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로 이를 위해 본 발명은, 기판 상에 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 금속 박막 상에 제1하드마스크용 물질막과 제2하드마스크용 물질막을 차례로 형성하는 단계; ArF 포토리소그라피 공정을 통해 상기 제2하드마스크용 물질막 상에 금속 박막 패턴 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; -40℃ 내지 40℃의 온도를 유지하며, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 제2하드마스크용 물질막을 식각하여 제2하드마스크를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 200℃ 내지 350℃의 온도를 유지하며, 상기 제2하드마스크를 식각마스크로 상기 제1하드마스크용 물질막을 식각하여 제1하드마스크를 형성하는 단계; 및 200℃ 내지 350℃의 온도를 유지하며, 상기 제1하드마스크를 식각마스크로 상기 금속 박막을 식각하여 금속 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 ArF 포토리소그라피 공정을 이용한 금속 박막 패턴 형성 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은, ArF 포토리소그라피 공정을 이용한 금속 배선 형성 방법을 제공한다.</p> |
